拉晶過(guò)程全程自動(dòng)化
在惰性氣體環(huán)境中,用石墨加熱器將硅材料熔化,
用直拉法生長(cháng)無(wú)位錯單晶的設備。
性能優(yōu)勢
設備主體結構優(yōu)化,提高了整機穩定性。
具有拉制12英寸COP FREE半導體單晶硅棒的功能。
采用新型隔離閥。
液面高度監控系統。
高精度傳動(dòng)機構。
雙層水冷套、可升降雙層水冷屏。
8英寸半導體級單晶爐 | |||
型號 | FT-CZ1200Se | ||
場(chǎng)所 | 周?chē)鷾囟?/td> | 15~30℃ | |
周?chē)鷿穸?/td> | ≤65%(無(wú)結露,腐蝕氣體) | ||
潔凈度 | 10000級凈空房 | ||
噪音 | ≤75db | ||
地基 | 3000kg/㎡以上 | ||
電源 | 額定電壓 | 3P 380VAC±10% 50/60Hz | |
額定電容 | 320kVA | ||
額定流量 | 500A | ||
冷卻水 | 流量范圍 | 350~400L/min | |
供給壓力 | 0.3~0.4MPa | ||
重量 | 設備高度 | <8290mm △ | |
設備重量 | 約23T |
△ 項數據視上爐筒高度而定,本設備數據不含磁場(chǎng)。
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